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多晶硅母合金掺杂原理

多晶硅母合金掺杂原理

铸造多晶硅的稳定掺杂及电性能研究学位万方数据

因此，本文从掺杂AlB母合金和PAs硅锭两条主线出发，从原子密度角度研究了施主和受主杂质补偿后对多晶硅铸锭导电类型、电阻率和少子寿命等电学性能的影响规律，本文研究结论主要如下：（1）铸锭1和2号的受主杂质与施主杂质的补偿差量都随所谓“母合金”就是杂质元素与硅的合金，常用的母合金有硅磷和硅硼两种，杂质浓度是10的2次方和10的3次方。采用“母合金”作为掺杂剂是为了使掺杂量容易控制、更准确。母合金产品介绍合能阳光（中国）公司掺杂技术主要包括共熔法和投杂法等。其中共熔法主要是在直拉法制备硅单晶的装料工序中将高纯的固体掺杂剂与多晶硅原料同时放入石英坩埚中。掺杂浓度可通过改变固体掺杂剂所占比例来进行调整。在此过程中，需要让石英坩埚认识半导体XI——直拉法硅单晶的掺杂知乎2024年12月11日直接掺杂：直接将杂质单质融入多晶硅熔液中，适于重掺杂；母合金掺杂：将杂质元素先制成硅的合金（如硅锑合金，硅硼合金），再按所需的计量掺入合金，适于中低浓度的掺杂。微电子制造工艺概论学习笔记第二章知乎首先采用熔炼法和球磨成形法制备出了SiB母合金，并分别对母合金的物相、结构及形貌进行分析，研究发现球磨成形法为制备SiB母合金的最佳工艺。多晶硅溅射靶材用SiB母合金的制备研究学位万方 2019年9月2日為什么拉單晶需要摻雜劑（母合金）﹖ 影响掺杂的几个因素母合金掺杂的计算方法电阻率P的单晶，它的头部对应的的杂质浓度为C头，多晶硅原料的重量为W，母合金的杂掺杂计算理论与实践ppt全文可读原创力文档

硅晶体的掺杂百度文库

（2）母合金掺杂是将掺杂元素与硅先做成母合金（例如，硅锑合金、硅硼合金），根据母合金含的杂质量相应的加入母合金量。掺杂方式（3）中子辐照掺杂（NTD）按上述两种掺杂方式光伏用多晶硅、准 (类)单晶硅在铸锭或拉制过程中需要对硅料进行电阻率补偿处理，使铸造多晶硅锭、准 (类)单晶硅锭电阻率控制在05Ω ^cm至6Ω cm以适合制作光伏电池。在铸造过程中，一种硅片母合金的制备方法 X技术网多晶硅是光伏产业和电子工业的重要基础材料,其电学性能的好坏直接影响使用效率在实际应用中,多晶硅材料除了纯度要求外,对电阻率和少子寿命等电学性能的调控也非常重要,而电学性能的铸造多晶硅的稳定掺杂及电性能研究百度学术2012年8月18日利用多晶铸造炉生产母合金的方法，其特征在于依次采用以下步骤：a选料，即选择所用的硅料；b计算所需掺杂剂的量；c将分选好的硅料加入掺杂剂，正常装料后投铸锭利用多晶铸造炉生产母合金的方法pdf•6 确定需加入母合金质量 2．杂质对材料电阻率的影响 • 半导体材料的电阻率一方面与载流子密度有关，另一方面又与载流子的迁移率有关。 • 同样的掺杂浓度，载流子的迁移率越大，材料的电阻率越低。如果半导体中存在多种杂质，在通常情况下半导体材料第5讲硅、锗晶体中的杂质百度文库• 母合金中杂质的含量用母合金浓度(cm3)来表示，其大小可通过试拉单晶头部电阻率求出。其公式为： • 试拉单晶重×单晶头部杂质浓度=掺杂母合金量×母合金浓度×K(杂质的分凝系数)半导体材料第5讲硅、锗晶体中的杂质百度文库

母合金的计算方法百度文库

母合金的计算方法下面我打个简单的比方：其实配母合金的原理很简单跟初中时配一定浓度的盐水差不多，母合金中的杂质就类是盐，多少硅就是我们有要配的多少水了。而在整个过程中都是以电阻率形式出现当然我们知道电阻率就能查出其含的杂质含量了。多晶硅的安装注意点 c 掺杂（确认与工艺单上一致） 3）籽晶与熔硅的熔接解：以头部为11 Ω cm 计算掺杂较有保证，可查表得对应的目标浓度为 4×1014 ，查母合金6×103Ω cm对应的浓度为 C合金=11×1019 W=60000g 4×1014 M = 60000 × = 685g 0 × 拉晶教程百度文库19本发明以磷化锌作为掺杂剂制备得到掺磷硅母合金。20在掺磷硅母合金的制备过程中，采用双温区水平炉，在双温区水平炉内装有密封的石英水平安瓿。石英水平安瓿高温段装有石墨舟，石墨舟内放置多晶硅材料，低温段装有石英坩埚，石英坩埚内放置磷化掺磷硅母合金的制备方法与流程 X技术网母合金掺杂法把掺杂剂和多晶硅料制成母合金，根据母合金中掺杂剂的含量和目标电阻率的要求，计算母合金的用量；把母合金和多晶硅料同时放入石英坩埚中熔化。该方法适用于掺杂剂用量较少、目标电阻率较高时的单晶硅生长。而掺镓单晶的目标直拉硅单晶的镓元素掺杂方法及所用掺杂装置的制作方法多晶硅可作拉制单晶硅的原料，多晶硅与单晶硅的差异主要表现在物理性质方面。例如，在力学性质、光学性质和热学性质的各向异性方面，远不如单晶硅明显；在电学性质方面，多晶硅晶体的导电性也远不如单晶硅显著，甚至于几乎没有导电性。在化学活性方面，两者的差异极小。多晶硅百度百科母合金的计算方法跑阻，可根据实际情况和需要调整原料的电阻率（要求精确）母合金的杂质浓度所掺杂质的分凝系数杂质的蒸发；无论液体或熔体在合适的温度下，溶剂和溶质总是要蒸发，特别是在真空下尤为显著，因此蒸发必定影响溶质在溶液的母合金的计算方法百度文库

一种溅射靶材用硅硼母合金及其制备方法 X技术网

2022年2月16日并且，掺杂该种硅硼母合金制备的多晶硅靶材，较制备的多晶硅靶材具有产品出成率高，电阻率分布均匀等特点。362、本发明提供的溅射靶材用硅硼母合金及其制备方法，为多晶硅靶材制备领域中，硼源的选择提供了一种新的思路以及制备方法。2011年6月10日其实配母合金的原理很简单跟初中时配一定浓度的盐水差不多，母合金中的杂质就类是盐，多少硅就 2使用N型母合金的主要是掺杂时发现低阻了，为了能够让产品电阻率达到使用要求,添加一些N 母合金的计算方法豆丁网2012年8月18日 1利用多晶铸造炉生产母合金的方法，其特征在于依次采用以下步骤：a选料，即选择所用的硅料；b计算所需掺杂剂的量；c将分选好的硅料加入掺杂剂，正常装料后投铸锭炉；d采用多晶硅铸造的方法，对硅料和掺杂剂依次进行抽真空、加热、熔化、长晶、退火、冷却环节，来生产母合金硅锭。利用多晶铸造炉生产母合金的方法pdf母合金掺杂的计算方法 Quality Assurance 电阻率P的单晶，它的头部对应的的杂质浓度为C头，多晶硅原料的重量为W，母合金的杂质浓度为C母，应掺母合金重量为M M =W*C头/（K*C母—C头），其中K 为掺杂剂原素在硅中的平衡分凝系数掺杂计算理论与实践百度文库2016年6月6日按掺杂剂的形式可分为元素掺杂和合金掺杂。（1）元素掺杂即直接将纯杂质元素加入硅中。它适于制备电阻率102 ~103 Ωcm的重掺杂硅单晶。（2）母合金掺杂是将掺杂元素与硅先做成母合金（例如，硅锑合金、硅硼合金），根据母合金含的直拉单晶硅的制备掺杂豆丁网一种P型硅母合金的制作方法技术领域本发明属于光伏电池技术领域，特别是涉及一种P型硅母合金的制作方法。背景技术光伏行业中的母合金是指化学元素周期表第三主族或第五主族元素与硅的合金，主要有硼硅合金和磷硅合金。母合金的作用是对多晶硅料进行掺杂，从而改变硅中施主杂质(如一种P型硅母合金的制作方法与流程 X技术网

母合金产品介绍合能阳光（中国）公司

母合金掺杂的计算方法电阻率P的单晶，它的头部对应的的杂质浓度为C头，多晶硅原料的重量为W，母合金的杂质浓度为C母，应掺母合金重量为M 应掺母合金重量为M =W*C头/（K*C母—C头），其中K为掺杂剂原素在硅中的平衡分凝系数掺杂的几个重要参数单晶的型号（N还是P）例如：掺杂剂锑熔化时间长，挥发量难以控制；掺杂剂与硅液剧烈反应，产生飞溅，破坏炉膛气氛，影响拉晶等等。母合金掺杂法由于需要母合金的杂质溶度大，制备有效母合金的难度也是比较大的，该方法对于锑元素掺杂同样不可取。直拉重掺锑单晶的掺杂方法及掺杂装置百度文库2023年6月17日集成电路制造技术——原理与工艺（第3版）课件 14硅晶体中杂质pptx,集成电路制造技术——原理与工艺（第3版）课件集成电路制造液相掺杂将杂质放入干锅的多晶中，由熔体掺入硅锭：直接掺杂母合金掺杂例题，生长电阻率为1Ωcm的nSi 14硅晶体中杂质pptx原创力文档2019年9月2日掺杂计算理论与实践ppt,為什么拉單晶需要摻雜劑（母合金）﹖ 影响掺杂的几个因素母合金掺杂的计算方法电阻率P的单晶，它的头部对应的的杂质浓度为C头，多晶硅原料的重量为W，母合金的杂质浓度为C母，应掺母合金重量为M M =W*C头/（K*C母—C头），其中K为掺杂剂原素在硅中的平衡分凝系数掺杂掺杂计算理论与实践ppt全文可读原创力文档按掺杂剂的形式可分为元素掺杂和合金掺杂。 (1)元素掺杂即直接将纯杂质元素加入硅中。它适于制备电阻率102~103Qcm的重掺杂硅单晶。 (2)母合金掺杂是将掺杂元素与硅先做成母合金(例如，硅锑合金、硅硼合金)，根据母合金含的杂质量相应的加入母合金直拉单晶硅的制备掺杂讲课讲稿百度文库本发明涉及光伏原料制备技术领域，特别是涉及一种硼母合金制备方法。背景技术：随着新能源技术的迅速发展，光伏电池的研发越来越受到人们的重视。单晶硅锭或多晶硅锭是光伏电池中的重要组成部分。光伏电池所用的p型多晶硅、准(类)单晶硅在铸锭或拉制过程中需要对硅料进行电阻率补硼母合金制备方法与流程 X技术网

第二章硅单晶制备豆丁网

2013年10月25日 (2)采用中间合金(母合金)掺杂时对母合金重量的计算 ①拉制P型硅单晶时掺入母合金质量的计算：硅硼合金的电阻率为ρ1 ，对应的杂质浓度C’s，中间合金重量为W1 ，硅的密度dsi，设投入多晶硅原材料的质量为M，掺入的杂质浓度 CLCN97公开了一种利用多晶硅铸造炉生产母合金的方法，该方法采用多晶硅铸造的方法，对硅料和掺杂剂依次进行抽真空、加热、熔化、长晶、退火、冷却环节，来生产母合金硅锭。一种硅片母合金的制备方法 X技术网2022年3月7日 12、合金。（2）采用中间合金（母合金）掺杂时对母合金重量的计算拉制P型硅或锗单晶时掺入母合金质量的计算：若掺入方式是掺入中间合金，比如硅硼合金的电阻率为1，对应的杂质浓度CH，若在硅中投入中间合金重直拉单晶硅的制备掺杂 renrendoc多晶硅的常见掺杂剂包括砷、磷和硼。多晶硅通常不掺杂地沉积，掺杂剂在沉积后才引入。多晶硅掺杂的方法有扩散法、离子注入法和原位掺杂法三种。扩散掺杂包括在未掺杂的多晶硅上沉积非常重掺杂的硅玻璃。这种玻璃将用作多晶硅的掺杂剂来源。透视多晶硅：一文深入揭秘多晶硅及其生产工艺知乎按掺杂剂的形式可分为元素掺杂和合金掺杂。（1）元素掺杂即直接将纯杂质元素加入硅中。它适于制备电阻率102 ~103 Ωcm的重掺杂硅单晶。（2）母合金掺杂是将掺杂元素与硅先做成母合金（例如，硅锑合金、硅硼合金），根据母合金含的直拉单晶硅的制备掺杂豆丁网2017年12月1日太阳能电池片科普系列——多晶硅铸锭篇中国光伏产业经历了风风雨雨几十年，无论是技术，还是成本都经历了翻天覆地的变化，随着市场对于高效率太阳能电池的需求，多晶硅铸锭工艺也在一丁一点的发生着变化，作为电池片原材料的源头，多晶硅铸锭所扮演的角色也就太阳能电池片科普系列——多晶硅铸锭篇北极星太阳

温度对重掺杂多晶硅的影响,Journal of Applied Physics XMOL

工作温度和电流密度对重掺杂不同杂质磷（31×1020 cm3）、砷（46×1020 cm3）或硼的低压化学气相沉积多晶硅电阻率的影响(31×1020 cm−3)，进行了研究。在很宽的温度范围 (15–195 C) 和电流水平 (1–20 mA) 内测量了薄膜的电阻率。砷掺杂的多晶硅结果与技术领域本实用新型涉及一种母合金掺杂及补掺装置，属于太阳能硅单晶掺杂技术技术领域。背景技术现有的拉晶常用掺杂方法是在装料过程中母合金与多晶硅一起放入坩埚内。现有的拉晶常用补掺方法是用籽晶做一个凹形的“小伞”，把母合金放入“小伞”内掺入硅熔体中。现有掺杂方法由于是与母合金掺杂及补掺装置的制作方法 X技术网2024年8月16日半导体材料的独特性质之一是它们的导电性和导电类型(N型或P型)能够通过在材料中掺入专门的杂质而被产生和控制。本章描述在晶圆内和表面上特别的“小块”导电区和 PN结的形成，并介绍扩散和离子注入两种掺杂技术的原理和工艺。通过引入专门的掺杂物(掺杂)，采用离子注入(ion plantation)或热半导体掺杂工艺知乎2015年5月20日索比光伏网讯:众所周知，N型电池是制作高效太阳电池的未来之星，我们应大力开发研究和生产太阳电池级N型硅片，而拉制N型硅单晶需有N++重掺磷硅单晶（此时可称为母合金）来作为掺杂剂。拉制重掺需用高纯赤磷，赤磷在常压下的升华温度为41摄氏度，而硅单晶拉制时温度在142摄氏度以上，且在 N++重掺磷硅单晶的拉制工艺索比光伏网•6 确定需加入母合金质量 2．杂质对材料电阻率的影响 • 半导体材料的电阻率一方面与载流子密度有关，另一方面又与载流子的迁移率有关。 • 同样的掺杂浓度，载流子的迁移率越大，材料的电阻率越低。如果半导体中存在多种杂质，在通常情况下半导体材料第5讲硅、锗晶体中的杂质百度文库• 母合金中杂质的含量用母合金浓度(cm3)来表示，其大小可通过试拉单晶头部电阻率求出。其公式为： • 试拉单晶重×单晶头部杂质浓度=掺杂母合金量×母合金浓度×K(杂质的分凝系数)半导体材料第5讲硅、锗晶体中的杂质百度文库